排行榜单 >
用户详情G-0
主板
HNL-WXX9-PCB
C
单核性能评分:19,579
排行第:3,918 位
多核性能评分:139,994
排行第:4,020 位
性能评分:20,293
显存不足,未进行显卡评测。
性能评分:10,118
主板:HNL-WXX9-PCB
芯片组:AMD Promontory/Bixby FCH
显示器:Chi Mei P130ZFA-BA1
分辨率:2160*1440
刷新率:60Hz
CPU:AMD Ryzen 5 4600H
性能分析
核心数:6
线程数:12
Min: 56.00 ℃
Avg: 83.43 ℃
Max: 99.00 ℃
Min: 1958 MHz
Avg: 2753 MHz
Max: 3989 MHz
Min: 4 W
Avg: 19 W
Max: 36 W
Min: 1.032 V
Avg: 1.187 V
Max: 1.309 V
测试项 | 单线程 | 多线程 | 单位 |
---|---|---|---|
7z MIPS | 6,037 | 46,526 | MIPS |
7z Decode | 81,053 | 696,442 | KB/S |
7z Encode | 6,066 | 40,386 | KB/S |
Text Render | 20,385,120 | 2,715,030 | μs |
PDF Render | 10,115,480 | 5,819,906 | μs |
FFmpeg | 726,363,200 | 130,638,424 | μs |
NBody | 1,087,649 | 165,124 | μs |
GPU:AMD Radeon Vega
显存不足,未进行显卡评测。
内存:Samsung
评分
20,293性能分析
通道:2
容量:16 GB
电压:1.20 V
频率:2666 MHz
时序:20-19-19-43
测试项 | 数值 | 单位 |
---|---|---|
DRAM Latency | 107 | ns |
DRAM Read Bandwidth | 30 | GB/S |
DRAM Write Bandwidth | 11 | GB/S |
DRAM Copy Bandwidth | 25 | GB/S |
硬盘:SAMSUNG MZVLB512HBJQ-00000 512 GB
评分
10,118性能分析
容量:512 GB
接口:NVMe (PCIe 4x 8.0 GT/s)
测试项 | 数值 | 单位 |
---|---|---|
Disk Sequential Read | 2,998 | MB/s |
Disk Sequential Write | 2,801 | MB/s |
Disk Random Read | 56 | MB/s |
Disk Random Write | 125 | MB/s |
Disk Random Read Latency | 0.073379 | ns |
Disk Random Write Latency | 0.033858 | ns |