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用户详情G-0
主板
B85M-Game Plus
C
单核性能评分:18,430
排行第:3,916 位
多核性能评分:77,691
排行第:4,956 位
性能评分:19,999
显存不足,未进行显卡评测。
性能评分:4,282
主板:B85M-Game Plus
芯片组:Intel B85
显示器:SAMSUNG SyncMaster S22B150S22B150
分辨率:1920*1080
刷新率:60Hz
CPU:Intel Xeon E3-1231 v3
性能分析
核心数:4
线程数:8
Min: 39.00 ℃
Avg: 55.00 ℃
Max: 66.00 ℃
Min: 798 MHz
Avg: 3468 MHz
Max: 3791 MHz
Min: 11 W
Avg: 54 W
Max: 79 W
Min: 0.547 V
Avg: 0.801 V
Max: 0.846 V
测试项 | 单线程 | 多线程 | 单位 |
---|---|---|---|
7z MIPS | 5,824 | 25,564 | MIPS |
7z Decode | 70,218 | 321,307 | KB/S |
7z Encode | 6,582 | 27,786 | KB/S |
Text Render | 22,497,164 | 5,142,995 | μs |
PDF Render | 9,279,871 | 8,730,324 | μs |
FFmpeg | 847,906,560 | 201,388,208 | μs |
NBody | 1,201,543 | 322,980 | μs |
GPU:NVIDIA GeForce GTX 680
显存不足,未进行显卡评测。
内存:Kingston
评分
19,999性能分析
通道:2
容量:16 GB
电压:1.20 V
频率:1598 MHz
时序:11-11-11-28
测试项 | 数值 | 单位 |
---|---|---|
DRAM Latency | 74 | ns |
DRAM Read Bandwidth | 22 | GB/S |
DRAM Write Bandwidth | 10 | GB/S |
DRAM Copy Bandwidth | 20 | GB/S |
硬盘:Samsung SSD 750 EVO 120GB 111 GB
评分
4,282性能分析
容量:111 GB
接口:Serial ATA 6Gb/s @ 6Gb/s
测试项 | 数值 | 单位 |
---|---|---|
Disk Sequential Read | 521 | MB/s |
Disk Sequential Write | 470 | MB/s |
Disk Random Read | 42 | MB/s |
Disk Random Write | 89 | MB/s |
Disk Random Read Latency | 0.098336 | ns |
Disk Random Write Latency | 0.049492 | ns |